2.P/N
P型半导体，由于掺杂了3价元素，导致原子之间形成共价键的时候最外层多余一个空穴，故而空穴的浓度远远大于自由电子的浓度。
N型半导体，由于掺杂了5价元素，导致原子之间形成共价键的时候最外层多余一个自由电子，故而自由电子的浓度远远大于空穴的浓度。
简单讲了一下半导体，下面必须得说道说道两种半导体结合到一起会发生什么？
PN结-两种半导体的交界面附近的区域为PN结
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
（图片来自百度）重点
由于在耗尽区中自由电子和空穴结合产生稳定的内电场，结合的空穴和电子数量越多，耗尽区越宽，两边结合愈发困难。
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。
一旦PN型半导体相遇，则形成PN结。刚刚说过，N型半导体（N区）中存在大量的自由电子，故而遇到了P型半导体（P区）中存在的大佬空穴之后，就会像大龄单身汉碰到妙龄女子一样扑上去。
百度百科：
从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区接负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。
记住一句话：
P区接电源正极，N区接负极电路就可以正常导通。
